中溫焊料_BGA焊點的熱斷裂失效機制
中溫焊料: BGA焊點的熱斷裂失效機制
BGA的出現(xiàn)是為了滿足增加集成電路的I/O接口數(shù)量的需求，已經(jīng)在高密度封裝大量采用。與傳統(tǒng)微電子封裝技術相比，BGA是使用合金焊料球代替引腳來完成信號傳輸，降低了電信號的傳輸損耗。但是高密度的集成也帶來了更高的服役溫度，對BGA的熱老化可靠性帶來了挑戰(zhàn)。在高溫作用下，焊點內(nèi)部會持續(xù)產(chǎn)生熱應力，導致疲勞累積，最終可能導致焊點斷裂。
眾所周知IMC的出現(xiàn)是無鉛錫膏焊接難以避免的。由于IMC在老化過程的生長是決定焊點可靠性的關鍵因素，因此需要了解熱疲勞過程中的焊點微觀結構變化，從而推斷出IMC對BGA焊點可靠的影響。如圖1所示，Li等人采用中溫焊料SAC305 BGA完成與Sn63Pb36錫膏層和Sn62Pb36Ag2錫膏層的裝配，并進行熱循環(huán)測試(-55℃-125℃)。中溫焊料SAC305 BGA的頂部與芯片的Ni焊盤連接，底部與PCB的Cu焊盤連接。
圖1. BGA焊點示意圖。
BGA焊點老化測試結果
如圖2所示。無鉛焊料SAC305 BGA中的灰色相為Sn，白色相為Pb。在剛完成焊接時焊點結構精細。在600次熱循環(huán)后，Pb進一步擴散到了BGA中，并且Pb晶粒開始粗化。此外，在完成1200次熱循環(huán)后，在BGA-芯片一側(cè)和BGA-PCB一側(cè)都可以清楚地看到由Pb晶粒進一步粗化并積聚形成網(wǎng)絡結構。
圖2. BGA焊點老化測試。(a-c)BGA-芯片一側(cè); (d-f)BGA-PCB界面一側(cè)。
在熱循環(huán)3200次后，BGA-芯片一側(cè)大致分為了Ni區(qū)，IMC（Cu,Ni)6Sn5區(qū)，Sn區(qū)?？梢杂^察到Sn區(qū)出現(xiàn)了晶粒粗化和再結晶現(xiàn)象。(Cu,Ni)6Sn5區(qū)則是出現(xiàn)了一定程度的位錯。另外，在BGA-PCB一側(cè)可以看到AC區(qū)和BC區(qū)的界面出現(xiàn)了較長的裂紋，并沿著的晶界向外擴展(圖4），形成穿晶裂紋。這為焊點連接處斷裂的出現(xiàn)帶來隱患。圖4(c)還可以看到有空洞的形成。在空洞和裂紋的共同作用下，該區(qū)域受到應力時將更容易出現(xiàn)斷裂。此外，BGA-PCB一側(cè)的D區(qū)會有晶粒錯位。
圖3. 熱循環(huán)3200次后的BGA-芯片界面一側(cè)的微觀結構。(b): 圖(a)的成分分布; (c): 圖(a)虛線區(qū)放大圖; (d): 圖(a)實線區(qū)放大圖。
圖4. 熱循環(huán)3200次后的BGA-PCB一側(cè)的微觀結構。(b): 圖(a)的成分分布; (c): A區(qū)放大圖; (d): C區(qū)放大圖。
焊點斷裂分析
無鉛焊料BGA焊點，焊料層和焊盤等材料的熱膨脹系數(shù)不匹配是焊點熱老化失效的主要誘因。當元件使用過程產(chǎn)生熱應力，材料的膨脹使得焊點內(nèi)部和表面出現(xiàn)應力并逐漸累積。Li等表示Sn晶粒再結晶和(Cu,Ni)6Sn5的位錯能釋放部分應力。(Cu,Ni)6Sn5傾向擴散到芯片焊盤的Ni層并形成網(wǎng)格結構，也可以釋放應力?？梢灾赖氖荖i層起到抑制原子擴散的作用，減緩IMC生長，從而減緩斷裂失效速度。而BGA-PCB界面處沒有Ni層的阻隔，Cu6Sn5生長速度更快，在應力作用下會出現(xiàn)穿晶裂紋。
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參考文獻
Li, Q.H., Zhao, W., Zhang, W., Chen, W.W. & Liu, Z.Q. (2022). “Research on Thermal Fatigue Failure Mechanism of BGA Solder Joints Based on Microstructure Evolution”. International Journal of Fatigue.
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